激光退火設(shè)備模型
半導體器件生產(chǎn)制造過程中，為了在硅晶圓中形成特定的摻雜，在制造過程中需進行多道離子注入工藝。在離子輸入過程中，雜質(zhì)離子的轟擊會對晶圓中的硅原子造成一定程度的晶格損傷，導致雜質(zhì)離子不能位于正確的晶格位置而不具備應(yīng)有的電活性，因此需要對晶圓進行加熱處理以修復(fù)晶格并激活雜質(zhì)離子電活性，這種加熱處理工藝即為退火。
激光退火設(shè)備模型
激光退火設(shè)備模型
激光退火設(shè)備是指采用高能激光束進行自動化退火工藝加工的專用設(shè)備，其主要功能是將特定形狀且能量分布均勻的束斑投射到半導體晶圓上，并對晶圓進行退火掃描和加工。相較于傳統(tǒng)的爐管退火及快速退火技術(shù)，激光退火由于具備瞬時溫度高、作用時間短、熱預(yù)算低、可選區(qū)加工等優(yōu)勢，能夠更好地滿足薄片加工和高效激活的工藝要求。目前，激光退火設(shè)備已廣泛應(yīng)用于尖端邏輯芯片制造領(lǐng)域。
